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电子元器件详细资料 » IC[21388] » IRF1902TRPBF
型号:IRF1902TRPBF类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C85 毫欧 @ 4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222700mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds310pF @ 15V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

IRF1902TRPBF相关型号

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